韩国三星电子周四宣布,旗下华城工厂开始量产3奈米晶片。(图取自三星电子/路透社)

(首尔30日讯)韩国三星电子(Samsung)周四宣布,旗下华城工厂已利用3奈米(nm)全环绕栅极(GAA)制程工艺节点开始量产首批晶片,成为全球首家量产3奈米晶片的半导体晶圆代工厂。

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韩联社报导,据介绍,与前几代使用鳍式场效应电晶体(FinFET)的晶片不同,第一代3奈米工艺采用GAA电晶体技术,大幅提升了效能。与三星5奈米工艺相比,第一代3奈米工艺可使功耗降低45%,性能提升23%,晶片面积减少16%。

三星表示,将于明年投入的第2代3奈米工艺能使功耗降低50%,性能提升30%,晶片面积减少35%。

三星电子计划将3奈米制程工艺优先应用于高性能计算(HPC)晶片,再扩大至移动系统晶片(SoC)等。此外,三星电子还计划从2025年开始生产基于GAA的2奈米晶片,力争在先进晶片制造领域赶超台积电(TSMC)。

据台湾调研机构集邦谘询(TrendForce)提供的数据,以今年第一季度为准,台积电的全球市场份额以53.6%位居第一,三星电子以16.3%位居第2。据悉,台积电计划下半年起量产3奈米晶片,再将GAA技术应用于其2奈米工艺。

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